本文主要记录在IC617中原理图的绘制和schematic的使用方法。
新建library
要画设计自己的集成电路，需要建一个自己的库，方便对自己设计文件的管理。
打开library manager，file 下NEW下Library
选择库的保存路径，一般默认即可，并在name中填入自己库的名字。点ok
弹出Technology File for New Library 窗口，选择第三个Attach to an existing technology library ，点ok
选择smic18ee工艺库，点ok。在library manager中就可以看见自己的库了。
现在自己的库是空的，需要自己新建cell。
新建cell
在library manager中file菜单NEW选择cell View。
在Cell里填入自己cell的名字,在Type里选择schematic.点ok，弹出原理图绘制窗口。
反相器原理图绘制
说一下常用快捷键
| 快捷键 | 作用 |
|---|---|
| i | 放置器件 |
| p | 放置Pin |
| l | 加标签 |
| c | 复制 |
| m | 移动 |
| w | 画电气线 |
| shift+x | save&check |
| q | 查看与修改器件属性 |
点原理图空白处，按快捷键i
弹出Add Instance 窗口，点Browes
会弹出library manager窗口，选择smic18ee的库并选择mosfets类，如果没有Category这一栏，在左上角Show Categories前面的方框里打勾。
选择p33e2r，其中p代表PMOS，33代表3.3V电压，18代表1.8电压 ，50 代表5V电压，155代表15V电压 。NMOS的nz代表低阈值电压。我习惯用3.3V。大家可根据自己情况选择MOS。
选中后，双击View栏的symbol
器件参数设置，在这里，我们需要修改Length和Total Width，宽长可根据自己需要修改，也可不修改。我常设置Length为1u，可减小沟道长度调制效应，PMOS的宽长比是NMOS的2.5倍左右，因为PMOS是空穴导电，NMOS是电子导电。其他参数，会在后面需要的时候介绍。
修改完成后，把鼠标放到原理图窗口，会有一个随鼠标动的MOS，选择一个位置，点一下，就可以放置了。
随后放置Nmos，
可以直接在Cell里，把p改成n就行。也可以按PMOS的选择方式，选择。
根据自己需要修改宽长比。找位置放置，放置完成后按esc
下面放置PIN，按快捷键p，
弹出create Pin窗口，Names填入Pin的名字，Direction填入数据方向，Signal Type填入pin类型，这里一般不需要管，它会自己设置好的。放置四个pin。放置完成后，按ESC
| name | direction |
|---|---|
| out | output |
| in | input |
| vcc | inputoutput |
| gnd | inputoutput |
放置完成如下图所示。
下面开始连线，按快捷键w，开始连线。要注意MOS衬底的连接。连接完成如下图所示。
按快捷键shift + x检查和保存。无错误，会在CIW中提示，保存完成。
下面我们来生成symbol，方便以后在其他设计中调取使用。选择create菜单，之后 依次选择cellview，from cellview
不需要修改，点ok即可，
在上下左右放置pin，可根据自己需要修改放置位置，其他参数不需要修改。点ok。可得到下图的symbol，在library manager中也可看到。
到这里，反相器的原理图绘制完成了。
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